Infineon Technologies CY62148BLL-70ZI

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Infineon CY62148BLL-70ZI - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone de 4 Mbit

La CY62148BLL-70ZI d'Infineon Technologies est une SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit conçue pour les applications exigeant un accès mémoire parallèle rapide et fiable. Appartenant à la série MOBL™, ce circuit intégré mémoire offre un temps d'accès de 70 ns et une organisation de 512 Ko x 8, ce qui le rend idéal pour les systèmes aérospatiaux, automobiles, de contrôle industriel et de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 70 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
  • Interface parallèle : une interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration dans les conceptions existantes.
  • Boîtier CMS : boîtier 32-TSOP II optimisé pour l’assemblage automatisé et les conceptions à espace restreint
  • Large plage de tension : la tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V offre une grande flexibilité de conception.
  • Stock autorisé : documentation complète du fabricant, traçabilité et assistance garantie

Applications typiques

Cette mémoire SRAM est couramment utilisée dans les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, les équipements de réseau, l'électronique automobile, l'avionique aérospatiale, les dispositifs médicaux et les applications de mise en mémoire tampon de données nécessitant une mémoire volatile rapide.

Spécifications techniques complètes

Distributeur agréé : Nous fournissons des composants Infineon authentiques avec une traçabilité complète du fabricant, une documentation technique et un support longue durée pour atténuer les risques d’obsolescence dans vos conceptions critiques.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits MOBL™
Conditionnement Sac | Sac
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 512K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 70ns
Temps d'accès 70 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-SOIC (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-TSOP II