Infineon Technologies CY62148EV30LL-45BVXIT
Prix habituel
Dhs. 17.72
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Dhs. 18.66
Prix promotionnel
Dhs. 17.72
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 17.72 | Dhs. 17.72 |
| 15+ | Dhs. 17.17 | Dhs. 257.55 |
| 25+ | Dhs. 16.79 | Dhs. 419.75 |
| 50+ | Dhs. 15.86 | Dhs. 793.00 |
| 100+ | Dhs. 14.00 | Dhs. 1,400.00 |
| N+ | Dhs. 2.80 | Price Inquiry |
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Infineon CY62148EV30LL-45BVXIT - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone 4 Mbit
La CY62148EV30LL-45BVXIT d'Infineon Technologies est une mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit conçue pour les applications exigeant un accès mémoire parallèle rapide et fiable. Appartenant à la gamme de produits MOBL™, ce circuit intégré mémoire offre un temps d'accès de 45 ns et une organisation de 512 Ko x 8, ce qui le rend idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels et des télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 45 ns pour les applications temps réel exigeantes
- Fonctionnement à faible consommation : plage de tension d’alimentation de 2,2 V à 3,6 V optimisée pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie
- Plage de températures étendue : température de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements industriels difficiles
- Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement de 36 VFBGA (6 x 8) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
- Interface parallèle : interface parallèle asynchrone standard pour une intégration facile
- Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb
Applications typiques
- Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant une mémoire à haute fiabilité
- Électronique automobile et ADAS (systèmes avancés d'aide à la conduite)
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- équipement d'infrastructure de télécommunications
- Dispositifs et instruments médicaux
- Applications de mise en mémoire tampon et de mémoire cache
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- Garantie du fabricant et garantie d'authenticité
Spécifications techniques complètes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | MOBL™ |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 512K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 45 ns |
| Temps d'accès | 45 ns |
| Tension - Alimentation | 2,2 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 36-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 36-VFBGA (6x8) |
| RoHS |  |
CY62148EV30LL-45BVXIT.pdf
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