Infineon Technologies CY62256LL-55SNXIT

Infineon CY62256LL-55SNXIT - Circuit intégré de mémoire SRAM haute performance de 256 kbits

La CY62256LL-55SNXIT d'Infineon Technologies est une mémoire SRAM asynchrone haut de gamme de 256 kbits conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Offrant un temps d'accès rapide de 55 ns et une organisation en 32 Ko x 8, cette SRAM à montage en surface assure un stockage de données fiable et rapide pour les systèmes à microcontrôleur, les contrôleurs industriels, les équipements réseau et l'électronique automobile.

Conçu avec la technologie MOBL™ éprouvée d'Infineon, ce circuit intégré de mémoire volatile fonctionne sur une large plage de températures (-40 °C à 85 °C) et supporte une tension d'alimentation de 4,5 V à 5,5 V, ce qui le rend idéal pour les environnements industriels difficiles. Son interface parallèle assure une intégration simple avec les systèmes embarqués anciens et modernes, tandis que son boîtier SOIC 28 broches permet un montage en surface compact.

Principales caractéristiques et avantages :

• Temps d'accès rapide : cycle d'accès et d'écriture de 55 ns pour des performances système réactives.
• Organisation flexible : l'architecture mémoire 32K x 8 convient aux applications orientées octets
• Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité automobile et industrielle
• Large plage de tension : compatibilité avec une alimentation de 4,5 V à 5,5 V
• Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb
• Technologie éprouvée : plateforme SRAM Infineon MOBL™ avec support à long terme

Spécifications techniques

Applications

• Systèmes de microcontrôleurs embarqués et cartes SBC
• Automatisation industrielle et contrôle des processus
• Électronique automobile et calculateurs
• Équipements de réseau et de télécommunications
• Instrumentation médicale
• Systèmes aérospatiaux et de défense
• mémoire tampon et cache des données

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