Infineon Technologies CY62256LL-70PXC

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CY62256LL-70PXC - Circuit intégré de mémoire SRAM haute performance de 256 kbits

Le CY62256LL-70PXC d'Infineon Technologies est un circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone 256 Kbits haute fiabilité, conçu pour les applications industrielles, embarquées et commerciales exigeantes. Ce composant semi-conducteur authentique offre une organisation mémoire de 32 K x 8 avec un temps d'accès rapide de 70 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes nécessitant une récupération rapide des données et des solutions de stockage non volatile fiables.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 70 ns garantit des opérations de lecture/écriture de données rapides pour les applications critiques en termes de temps.
  • Organisation de la mémoire flexible : la configuration 32K x 8 offre une architecture de stockage de données polyvalente
  • Large plage de tension de fonctionnement : alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une compatibilité avec les systèmes TTL/CMOS standard.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA) pour les environnements commerciaux et industriels.
  • Interface parallèle : une interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration dans les conceptions existantes.
  • Montage traversant : boîtier DIP 28 broches (0,600 pouce, 15,24 mm) pour un prototypage facile et des mises à niveau de systèmes existants
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications

La mémoire SRAM CY62256LL-70PXC est parfaitement adaptée pour :

  • Systèmes embarqués et conceptions à base de microcontrôleurs
  • équipements de contrôle et d'automatisation industriels
  • Applications de mise en mémoire tampon et de mémoire cache
  • Maintenance et mises à niveau des systèmes existants
  • Équipements de télécommunications et de réseau
  • Instrumentation de test et de mesure

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits MOBL™
Conditionnement Tube |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 256 kbits
Organisation de la mémoire 32K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 70ns
Temps d'accès 70 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage trou traversant
Emballage / Étui 28-DIP (0,600", 15,24 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 28-PDIP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY