Infineon Technologies CY62256LL-70SNXIT

Infineon CY62256LL-70SNXIT - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 256 kbits

Le CY62256LL-70SNXIT d'Infineon Technologies est un circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone 256 kbits haut de gamme de la célèbre gamme MOBL™. Conçu pour les systèmes embarqués critiques, ce composant mémoire haute fiabilité offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès rapide de 70 ns et des caractéristiques de fonctionnement robustes sur une large plage de températures industrielles.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 70 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
• Organisation flexible de la mémoire : la configuration 32 Ko x 8 optimise l’efficacité du stockage et de la récupération des données.
• Large plage de fonctionnement : la plage de températures de -40 °C à 85 °C (TA) prend en charge les environnements industriels exigeants.
• Alimentation fiable : la tension d'alimentation de 4,5 V à 5,5 V assure un fonctionnement stable avec les systèmes d'alimentation standard.
• Interface parallèle : une interface mémoire parallèle simple simplifie l’intégration dans les conceptions existantes
• Boîtier CMS : le boîtier SOIC 28 broches (0,295 pouce, largeur 7,50 mm) permet un assemblage efficace des circuits imprimés et une optimisation de l'espace.
• Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une conformité optimale au marché mondial

Applications idéales

Cette mémoire SRAM asynchrone est parfaitement adaptée aux applications aérospatiales, automobiles, aux systèmes de contrôle industriels, aux dispositifs médicaux, aux équipements de télécommunications et autres applications embarquées nécessitant une mémoire volatile rapide, fiable et à longue durée de vie.

Spécifications techniques

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