Infineon Technologies CY62256VLL-70ZRXIT

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Infineon CY62256VLL-70ZRXIT - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 256 kbits

Le CY62256VLL-70ZRXIT d'Infineon Technologies est un circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone 256 kbits haut de gamme issu de la célèbre gamme MOBL™. Conçu pour les applications industrielles, automobiles, IoT et systèmes embarqués, ce composant mémoire à montage en surface offre une fiabilité et des performances exceptionnelles dans les environnements les plus exigeants.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 70 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation de la mémoire flexible : configuration 32 Ko x 8 optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet
  • Large plage de tension de fonctionnement : la tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V prend en charge diverses architectures système.
  • Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des conditions difficiles.
  • Interface parallèle : une interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration dans les conceptions existantes.
  • Boîtier compact pour montage en surface : l’ encombrement 28-TSOP I (28-TSSOP) optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.
  • Conforme à la directive RoHS : une fabrication respectueuse de l'environnement répond aux normes réglementaires internationales.

Applications idéales

Ce circuit intégré de mémoire SRAM volatile excelle dans les applications nécessitant un stockage de données temporaire et rapide, notamment les mémoires tampons de microcontrôleurs, la mémoire cache, les systèmes d'acquisition de données, les équipements de contrôle industriel, l'électronique automobile et les plateformes informatiques embarquées. Son architecture asynchrone élimine les besoins de synchronisation d'horloge, simplifiant ainsi la conception du système.

Composants authentiques avec engagement de cycle de vie

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Spécifications techniques

Ressources connexes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits MOBL™
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 256 Kbits
Organisation de la mémoire 32K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 70ns
Temps d'accès 70 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 28-TSSOP (0,465", largeur 11,80 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 28-TSOP I
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY