Infineon Technologies CY7C1006B-15VXC

CY7C1006B-15VXC - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La CY7C1006B-15VXC d'Infineon Technologies est une mémoire SRAM asynchrone haut de gamme de 1 mégabit, conçue pour les applications embarquées et industrielles à haute vitesse. Avec un temps d'accès ultrarapide de 15 ns et une organisation en 256 Ko x 4, cette SRAM offre des performances de mémoire volatile fiables pour les systèmes critiques exigeant un accès rapide aux données et une faible latence.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 15 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
• Organisation flexible : architecture mémoire 256 Ko x 4 optimisée pour les applications d’interface parallèle
• Large plage de tension : la tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V prend en charge les systèmes anciens et modernes.
• Plage de températures industrielles : fonctionnement de 0 °C à 70 °C (TA) pour des performances fiables dans des environnements exigeants.
• Boîtier CMS : 28-BSOJ (0,300 pouce, largeur 7,62 mm) / 28-SOJ pour une intégration efficace sur circuit imprimé
• Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Applications idéales

Cette mémoire SRAM haute vitesse est parfaitement adaptée aux contrôleurs embarqués, aux systèmes d'automatisation industrielle, aux équipements de télécommunications, à la mise en mémoire tampon des données, à la mémoire cache et aux mises à niveau des systèmes existants nécessitant des composants Infineon authentiques avec une longue durée de vie.

Spécifications techniques

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Ressources et assistance techniques

Besoin d'aide pour le choix des composants, les fiches techniques ou les spécifications techniques ? Consultez notre blog d'actualités pour découvrir les dernières tendances, les notes d'application et les annonces de produits. Notre équipe d'ingénieurs est à votre disposition pour vous accompagner dans vos projets et vous conseiller sur l'intégration de la mémoire, la gestion du cycle de vie et les solutions de compatibilité.

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