Infineon Technologies CY7C1011DV33-10BVIT
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 10.79 | Dhs. 10.79 |
| 15+ | Dhs. 10.44 | Dhs. 156.60 |
| 25+ | Dhs. 10.22 | Dhs. 255.50 |
| 50+ | Dhs. 9.65 | Dhs. 482.50 |
| 100+ | Dhs. 8.51 | Dhs. 851.00 |
| N+ | Dhs. 1.70 | Price Inquiry |
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CY7C1011DV33-10BVIT - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit
La CY7C1011DV33-10BVIT d'Infineon Technologies est une mémoire SRAM statique de 2 Mbits haute fiabilité, conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette SRAM asynchrone dispose d'une organisation mémoire de 128 Ko x 16 et d'un temps d'accès ultrarapide de 10 ns, ce qui la rend idéale pour la mise en mémoire tampon de données à haute vitesse et les applications de mémoire cache.
Conçue pour une fiabilité et des performances optimales, cette mémoire SRAM fonctionne sous une tension d'alimentation de 3,3 V (plage de 3 V à 3,6 V) et assure un fonctionnement stable sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C. Son boîtier CMS 48 VFBGA offre un encombrement réduit, idéal pour les conceptions compactes.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Haute fiabilité : Conçu pour les systèmes critiques dans les environnements aérospatiaux, automobiles et industriels
- Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C de température ambiante
- Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 3,3 V réduit la consommation d’énergie.
- Interface parallèle : Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
- Boîtier compact : le format VFBGA 48 (6 x 8 mm) à montage en surface permet un gain de place sur la carte.
Applications typiques
- Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant une mémoire à haute fiabilité
- Électronique automobile et ADAS (systèmes avancés d'aide à la conduite)
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Équipements médicaux et dispositifs de diagnostic
- Infrastructure de télécommunications
- Mémoire cache et mise en mémoire tampon de données à haute vitesse
- Systèmes embarqués nécessitant un stockage volatile rapide et fiable
Produits et ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 2 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-VFBGA (6x8) |
CY7C1011DV33-10BVIT.pdf