Infineon Technologies CY7C1018DV33-10VXIT
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 11.24 | Dhs. 11.24 |
| 15+ | Dhs. 10.89 | Dhs. 163.35 |
| 25+ | Dhs. 10.66 | Dhs. 266.50 |
| 50+ | Dhs. 10.06 | Dhs. 503.00 |
| 100+ | Dhs. 8.88 | Dhs. 888.00 |
| N+ | Dhs. 1.78 | Price Inquiry |
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CY7C1018DV33-10VXIT - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La CY7C1018DV33-10VXIT d'Infineon Technologies est une SRAM asynchrone 1 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette mémoire volatile offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 10 ns et fonctionne sous une tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués à faible consommation.
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Organisation flexible : l'organisation de la mémoire 128K x 8 offre une structure de données optimale pour les systèmes embarqués.
- Large plage de fonctionnement : la plage de températures de -40 °C à 85 °C permet de supporter les environnements industriels difficiles.
- Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V réduit la consommation d’énergie.
- Boîtier CMS : boîtier 32-BSOJ (0,300 pouce, largeur 7,62 mm) pour une intégration optimale sur le circuit imprimé
- Interface parallèle : interface mémoire parallèle simple pour une intégration directe
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire SRAM haute fiabilité est conçue pour les applications exigeantes, notamment :
- Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant une mémoire résistante aux radiations
- Unités de commande électroniques automobiles (ECU) et systèmes critiques pour la sécurité
- équipements d'automatisation industrielle et de contrôle des processus
- Dispositifs de diagnostic et de surveillance médicale
- Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
- Systèmes embarqués nécessitant une mise en mémoire tampon des données rapide et fiable
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 32-BSOJ (0,300", largeur 7,62 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 32-SOJ |
| RoHS |  |
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