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CY7C1019B-12VC SRAM asynchrone haute vitesse 1 Mbit

La CY7C1019B-12VC d'Infineon Technologies est une mémoire SRAM (mémoire vive statique) haute performance de 1 mégabit, organisée en 128 Ko x 8 bits. Cette SRAM asynchrone offre un temps d'accès ultrarapide de 12 ns, ce qui la rend idéale pour les applications exigeant un accès rapide aux données et des opérations mémoire à faible latence.

Conçu pour les systèmes industriels et embarqués, ce circuit intégré de mémoire à montage en surface fonctionne de manière fiable sur une large plage de tensions (4,5 V à 5,5 V) et de températures (0 °C à 70 °C). Son interface parallèle facilite son intégration dans les systèmes numériques anciens et modernes nécessitant un stockage de mémoire volatile haute vitesse.

Spécifications techniques

Applications et cas d'utilisation

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux mémoires cache, aux systèmes de stockage tampon, à l'acquisition de données, aux contrôleurs industriels et aux applications embarquées nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable. Son boîtier 32-SOJ lui confère une grande robustesse mécanique, même dans les environnements industriels les plus exigeants.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits
Conditionnement Tube |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-SOJ