Infineon Technologies CY7C1019B-12ZXC
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.88 | Dhs. 8.88 |
| 15+ | Dhs. 8.58 | Dhs. 128.70 |
| 25+ | Dhs. 8.40 | Dhs. 210.00 |
| 50+ | Dhs. 7.93 | Dhs. 396.50 |
| 100+ | Dhs. 7.00 | Dhs. 700.00 |
| N+ | Dhs. 1.40 | Price Inquiry |
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CY7C1019B-12ZXC - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La CY7C1019B-12ZXC d'Infineon Technologies est une SRAM asynchrone (mémoire vive statique) de 1 Mbit haut de gamme, conçue pour les applications embarquées critiques exigeant un accès aux données ultrarapide et une fiabilité exceptionnelle. Avec un temps d'accès fulgurant de 12 ns et une organisation mémoire de 128 Ko x 8, ce circuit intégré de mémoire volatile offre les performances requises par vos systèmes haute vitesse.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances ultra-rapides : un temps d’accès de 12 ns et un temps de cycle d’écriture de 12 ns garantissent une latence minimale pour les opérations critiques.
- Organisation optimale de la mémoire : la configuration 128K x 8 offre une gestion flexible des données pour diverses applications.
- Interface parallèle : intégration simple avec les microcontrôleurs, les FPGA et les processeurs embarqués
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C pour une fiabilité de niveau industriel
- Boîtier compact : le boîtier CMS 32-TSOP II (compatible 32-SOIC) optimise l'espace sur la carte.
- Conforme à la directive RoHS : une conception écoresponsable qui répond aux normes réglementaires internationales
Applications idéales
Idéal pour l'avionique aérospatiale, les systèmes de contrôle automobile, l'automatisation industrielle, les dispositifs médicaux, l'infrastructure des télécommunications et tout système embarqué nécessitant une mémoire tampon haute vitesse, un stockage cache ou des capacités d'enregistrement de données.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Sac | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 32-SOIC (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 32-TSOP II |
| RoHS |  |
CY7C1019B-12ZXC.pdf