Infineon Technologies CY7C1019BN-15ZXCT
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.49 | Dhs. 7.49 |
| 15+ | Dhs. 7.24 | Dhs. 108.60 |
| 25+ | Dhs. 7.08 | Dhs. 177.00 |
| 50+ | Dhs. 6.69 | Dhs. 334.50 |
| 100+ | Dhs. 5.90 | Dhs. 590.00 |
| N+ | Dhs. 1.18 | Price Inquiry |
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CY7C1019BN-15ZXCT - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La CY7C1019BN-15ZXCT d'Infineon Technologies est une mémoire SRAM (mémoire vive statique) haute vitesse de 1 mégabit conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Grâce à un temps d'accès ultrarapide de 15 ns et à une interface parallèle asynchrone, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 15 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
- Organisation flexible : architecture mémoire 128 Ko x 8 optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet
- Interface standard de l'industrie : l'interface parallèle asynchrone simplifie l'intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs.
- Fonctionnement fiable : plage de tension d'alimentation de 4,5 V à 5,5 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
- Boîtier compact : boîtier CMS 32-TSOP II idéal pour les circuits imprimés compacts.
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
Applications idéales
Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux contrôleurs embarqués, aux systèmes d'automatisation industrielle, aux équipements de télécommunications, aux dispositifs de réseau, aux systèmes d'acquisition de données et à toute application nécessitant un stockage temporaire de données à haute vitesse avec une conservation des données garantie pendant la mise sous tension.
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Spécifications techniques complètes
Ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 15 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 32-SOIC (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 32-TSOP II |
| RoHS |  |
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