Infineon Technologies CY7C1019CV33-10ZXIT
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.12 | Dhs. 7.12 |
| 15+ | Dhs. 6.89 | Dhs. 103.35 |
| 25+ | Dhs. 6.74 | Dhs. 168.50 |
| 50+ | Dhs. 6.37 | Dhs. 318.50 |
| 100+ | Dhs. 5.62 | Dhs. 562.00 |
| N+ | Dhs. 1.12 | Price Inquiry |
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Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La CY7C1019CV33-10ZXIT d'Infineon Technologies est une mémoire vive statique asynchrone (SRAM) de 1 mégabit de qualité supérieure conçue pour les systèmes embarqués et les applications électroniques industrielles nécessitant des solutions de mémoire rapides, fiables et à faible consommation.
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès ultra-rapide : un temps d'accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Organisation optimale de la mémoire : la configuration 128 Ko x 8 offre une flexibilité d’adressage pour diverses architectures système.
- Large plage de tension de fonctionnement : la plage de tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V prend en charge les conceptions modernes à faible consommation.
- Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
- Boîtier CMS : le boîtier 32-TSOP II (équivalent 32-SOIC) permet des agencements de circuits imprimés compacts.
- Interface parallèle : L’interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs.
Applications idéales
Cette mémoire SRAM haute vitesse est idéale pour les contrôleurs embarqués, les systèmes d'automatisation industrielle, les équipements de télécommunications, les dispositifs de réseau, les systèmes d'acquisition de données et toute application nécessitant une mémoire volatile rapide avec une longue durée de vie.
Garantie de qualité et d'authenticité
HQICKEY fournit des composants Infineon Technologies 100 % authentiques, avec une traçabilité complète, un support technique et une disponibilité tout au long du cycle de vie pour répondre aux exigences de production à grande échelle. Chaque circuit intégré est soumis à un contrôle qualité rigoureux afin de garantir sa fiabilité et ses performances.
Spécifications techniques complètes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 32-SOIC (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 32-TSOP II |
| RoHS |  |
CY7C1019CV33-10ZXIT.pdf