Infineon Technologies CY7C1019CV33-12ZXCT
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.12 | Dhs. 7.12 |
| 15+ | Dhs. 6.89 | Dhs. 103.35 |
| 25+ | Dhs. 6.74 | Dhs. 168.50 |
| 50+ | Dhs. 6.37 | Dhs. 318.50 |
| 100+ | Dhs. 5.62 | Dhs. 562.00 |
| N+ | Dhs. 1.12 | Price Inquiry |
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CY7C1019CV33-12ZXCT - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La CY7C1019CV33-12ZXCT d'Infineon Technologies est une mémoire SRAM asynchrone haut de gamme de 1 Mbit, conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Avec un temps d'accès ultrarapide de 12 ns et une organisation mémoire de 128 Ko x 8 , cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Organisation de la mémoire flexible : configuration 128 Ko x 8 optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA)
- Conception pour montage en surface : boîtier 32-TSOP II idéal pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.
- Interface parallèle : Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Applications idéales
Cette mémoire SRAM haute vitesse est idéale pour les contrôleurs embarqués, les systèmes d'automatisation industrielle, les équipements de télécommunications, les dispositifs de réseau, les systèmes d'acquisition de données et toute application nécessitant un stockage de données temporaire rapide avec accès parallèle.
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Spécifications techniques
Ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 32-SOIC (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 32-TSOP II |
| RoHS |  |
CY7C1019CV33-12ZXCT.pdf