Infineon Technologies CY7C1019CV33-15ZXIT

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CY7C1019CV33-15ZXIT - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La CY7C1019CV33-15ZXIT d'Infineon Technologies est une mémoire SRAM (mémoire vive statique) haute performance de 1 mégabit conçue pour les systèmes embarqués exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Cette SRAM asynchrone dispose d'une architecture 128K x 8, offrant un temps d'accès exceptionnel de 15 ns pour les applications critiques en temps réel dans les domaines de l'automatisation industrielle, des télécommunications, des équipements de réseau et des plateformes informatiques embarquées.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 15 ns garantit une latence minimale pour les opérations de données à haut débit.
  • Organisation de la mémoire flexible : configuration 128 Ko x 8 optimisée pour le traitement des données à l’échelle de l’octet
  • Large plage de tension de fonctionnement : alimentation de 3 V à 3,6 V pour une compatibilité avec les conceptions modernes à faible consommation.
  • Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité optimale en environnement difficile
  • Boîtier compact : boîtier CMS 32-TSOP II (largeur de 10,16 mm) pour des agencements de circuits imprimés compacts
  • Interface parallèle : Interface mémoire parallèle standard pour une intégration simple
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Applications typiques

Cette mémoire SRAM est idéale pour la mémoire cache, le stockage tampon, l'enregistrement de données, les systèmes de contrôle en temps réel, les routeurs et commutateurs réseau, les automates programmables industriels, l'instrumentation médicale et l'électronique automobile nécessitant un stockage de données temporaire rapide et fiable.

Spécifications techniques

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Ressources connexes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 15 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-SOIC (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY