Infineon Technologies CY7C1019DV33-10BVXIT

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25+ Dhs. 8.94 Dhs. 223.50
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Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La mémoire SRAM CY7C1019DV33-10BVXIT d'Infineon Technologies offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués critiques nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable. Cette SRAM de 1 Mbit se caractérise par un temps d'accès ultrarapide de 10 ns et une interface parallèle asynchrone, ce qui la rend idéale pour la mise en mémoire tampon de données à haute vitesse, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des dispositifs médicaux et des télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
  • Organisation flexible : architecture mémoire 128 Ko x 8 optimisée pour la gestion des données à l’échelle de l’octet
  • Large plage de tension : fonctionnement de 3 V à 3,6 V pour une compatibilité avec les systèmes basse consommation modernes.
  • Plage de températures étendue : -40 °C à 85 °C (TA) pour les environnements industriels difficiles
  • Montage en surface compact : le boîtier 48-VFBGA (6x8) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
  • Interface parallèle : transfert de données simple et rapide sans protocoles complexes
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SRAM haute fiabilité est conçue pour les applications exigeantes, notamment :

  • Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
  • Modules ECU et ADAS automobiles
  • Automatisation industrielle et automates programmables
  • Équipements de diagnostic et de surveillance médicale
  • Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
  • Systèmes d'acquisition de données à haute vitesse
  • Informatique embarquée et traitement en temps réel

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Ressources et assistance techniques

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-VFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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