Infineon Technologies CY7C1020B-12ZXCT

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25+ Dhs. 9.61 Dhs. 240.25
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CY7C1020B-12ZXCT - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 512 kbits

La CY7C1020B-12ZXCT d'Infineon Technologies est une SRAM asynchrone 512 kbits haute fiabilité conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels et des télécommunications. Ce dispositif de mémoire volatile offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès et un cycle d'écriture ultrarapides de 12 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués nécessitant un accès et un traitement rapides des données.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances ultra-rapides : un temps d’accès de 12 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
  • Organisation de la mémoire flexible : configuration 32 Ko x 16 optimisée pour les architectures de microcontrôleurs et de processeurs 16 bits
  • Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V assure la compatibilité avec les systèmes 5 V standard.
  • Interface parallèle : accès direct à la mémoire pour un transfert de données à haut débit sans surcharge de protocole.
  • Boîtier CMS : le 44-TSOP II (largeur de 10,16 mm) permet des agencements de circuits imprimés compacts et un assemblage automatisé
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA) pour les environnements exigeants.
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb

Applications idéales

Cette SRAM est parfaitement adaptée à la mémoire cache, au stockage tampon, à l'enregistrement de données, aux systèmes de contrôle en temps réel, au stockage de configuration FPGA et aux systèmes d'acquisition de données à haute vitesse où la fiabilité et les performances sont primordiales.

Spécifications techniques

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 512 kbits
Organisation de la mémoire 32K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY