Infineon Technologies CY7C1020BN-12ZXCT

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Infineon CY7C1020BN-12ZXCT - SRAM asynchrone haute performance de 512 kbits

La mémoire SRAM CY7C1020BN-12ZXCT d'Infineon Technologies est une mémoire vive statique (SRAM) de 512 kbits haute fiabilité, conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette SRAM asynchrone offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès ultrarapide de 12 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués nécessitant une récupération et un traitement rapides des données.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une latence minimale pour les applications critiques.
  • Organisation optimale de la mémoire : la configuration 32K x 16 offre une architecture de stockage de données flexible
  • Large plage de tension de fonctionnement : alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une intégration système polyvalente.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA)
  • Boîtier compact : le boîtier CMS 44-TSOP II (0,400", largeur 10,16 mm) optimise l'espace sur le circuit imprimé.
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SRAM haute performance est conçue pour les applications critiques où la fiabilité et la vitesse sont primordiales :

  • systèmes de contrôle aérospatiaux et avioniques
  • Unités de commande des moteurs automobiles (ECU) et systèmes de sécurité
  • Automatisation industrielle et contrôle des processus
  • Équipements de diagnostic et de surveillance médicale
  • Infrastructure de télécommunications et dispositifs de réseau
  • mémoire cache du système embarqué
  • Mise en mémoire tampon des données et stockage temporaire

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 512 kbits
Organisation de la mémoire 32K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY