Infineon Technologies CY7C1020BN-15ZXCT

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15+ Dhs. 9.83 Dhs. 147.45
25+ Dhs. 9.61 Dhs. 240.25
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CY7C1020BN-15ZXCT - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 512 kbits

La CY7C1020BN-15ZXCT d'Infineon Technologies est une SRAM asynchrone 512 kbits haute fiabilité conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des dispositifs médicaux et des télécommunications. Ce composant de mémoire parallèle offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 15 ns et fonctionne de manière fiable sur une large plage de températures, de 0 °C à 70 °C.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 15 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications embarquées critiques.
  • Organisation flexible : architecture mémoire 32 Ko x 16 optimisée pour les interfaces de microcontrôleurs et de processeurs 16 bits
  • Fiabilité de niveau industriel : Conçu pour les environnements difficiles, avec une durabilité éprouvée dans les systèmes aérospatiaux et automobiles
  • Large plage de tension d'alimentation : compatibilité avec les tensions d'alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une intégration système polyvalente.
  • Conception pour montage en surface : boîtier TSOP II 44 broches pour une implantation efficace sur le circuit imprimé et un assemblage automatisé
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications idéales

Cette mémoire SRAM volatile est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués nécessitant un stockage temporaire de données rapide et fiable, notamment les automates industriels, les calculateurs automobiles, l'instrumentation médicale, les équipements de télécommunications et l'avionique aérospatiale. Son interface parallèle assure une intégration simple avec les architectures de microcontrôleurs anciennes et modernes.

Spécifications techniques

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 512 kbits
Organisation de la mémoire 32K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 15 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY