Infineon Technologies CY7C1020CV33-10ZXC

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CY7C1020CV33-10ZXC - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 512 kbits

La CY7C1020CV33-10ZXC d'Infineon Technologies est une SRAM asynchrone 512 kbits haut de gamme conçue pour les systèmes embarqués critiques exigeant un accès mémoire ultrarapide et une fiabilité exceptionnelle. Ce circuit intégré de mémoire volatile haute performance offre un temps d'accès de 10 ns, une performance inégalée sur le marché, ce qui le rend idéal pour les applications aérospatiales, automobiles, d'automatisation industrielle, médicales et de télécommunications où la vitesse et l'intégrité des données sont primordiales.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les opérations urgentes.
  • Organisation optimale de la mémoire : la configuration 32 Ko x 16 offre une gestion flexible des données pour les contrôleurs embarqués.
  • Interface parallèle : accès direct à la mémoire pour un débit maximal dans les systèmes temps réel
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C pour les environnements exigeants.
  • Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V optimise l’efficacité énergétique.
  • Boîtier CMS : le boîtier 44-TSOP II permet des agencements de circuits imprimés compacts et un assemblage automatisé
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SRAM haute fiabilité est conçue pour les applications exigeantes, notamment les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, l'instrumentation médicale, l'avionique aérospatiale, l'infrastructure de télécommunications et les systèmes d'acquisition de données, où des performances constantes et une disponibilité à long terme sont essentielles.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 512 kbits
Organisation de la mémoire 32K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY