Infineon Technologies CY7C10212DV33-10BVXIT
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.23 | Dhs. 7.23 |
| 15+ | Dhs. 6.99 | Dhs. 104.85 |
| 25+ | Dhs. 6.84 | Dhs. 171.00 |
| 50+ | Dhs. 6.46 | Dhs. 323.00 |
| 100+ | Dhs. 5.70 | Dhs. 570.00 |
| N+ | Dhs. 1.14 | Price Inquiry |
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Infineon CY7C10212DV33-10BVXIT - SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La CY7C10212DV33-10BVXIT d'Infineon Technologies est une SRAM asynchrone haut de gamme de 1 Mbit conçue pour les systèmes embarqués exigeant un accès mémoire parallèle rapide et fiable. Avec un temps d'accès ultrarapide de 10 ns et une organisation mémoire de 64 K x 16, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour les automates industriels, les équipements réseau et les applications de mise en mémoire tampon de données en temps réel.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
- Organisation flexible : la configuration 64K x 16 optimise le débit de données pour les systèmes 16 bits
- Large plage de tension : fonctionnement de 3 V à 3,6 V compatible avec les conceptions modernes à faible consommation.
- Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Montage en surface compact : le boîtier TFBGA 48 broches (6 x 8 mm) permet un gain de place précieux sur la carte.
- Interface parallèle : accès direct à la mémoire sans protocoles complexes
- Conforme à la norme RoHS : respectueux de l’environnement et conforme à la réglementation.
Applications idéales
Cette mémoire SRAM haute vitesse est idéale pour les contrôleurs d'automatisation industrielle, les dispositifs de réseau embarqués, la mise en mémoire tampon des données FPGA, les systèmes d'acquisition de données en temps réel et les équipements de télécommunications nécessitant un accès mémoire fiable et rapide avec une longue durée de vie.
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Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-FBGA (6x8) |
| RoHS |  |
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