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25+ Dhs. 8.90 Dhs. 222.50
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Circuit intégré de mémoire SRAM haute vitesse 1 Mbit CY7C1021B-12VC

La CY7C1021B-12VC d'Infineon Technologies est une mémoire SRAM (mémoire vive statique) haute performance de 1 Mbit conçue pour les systèmes embarqués critiques exigeant un stockage de données rapide et fiable. Grâce à un temps d'accès ultrarapide de 12 ns et à son architecture asynchrone, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour les applications aérospatiales, automobiles, de contrôle industriel et de télécommunications où la vitesse et la fiabilité sont primordiales.

Spécifications techniques

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances ultra-rapides : un temps d’accès de 12 ns permet une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
  • Organisation flexible : architecture mémoire 64 Ko x 16 optimisée pour les systèmes de bus de données 16 bits
  • Fonctionnement asynchrone : aucune horloge n’est requise, ce qui simplifie la conception du système et réduit la consommation d’énergie.
  • Large plage de tension : tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une compatibilité avec les systèmes 5 V standard.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C pour les environnements exigeants.
  • Boîtier CMS : le boîtier 44-SOJ permet un assemblage automatisé et des agencements de circuits imprimés compacts.
  • Interface parallèle : accès aux données parallèle à haut débit pour un débit maximal

Applications typiques

  • Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
  • Unités de commande des moteurs automobiles (ECU) et systèmes de sécurité
  • Automatisation industrielle et contrôle des processus
  • équipement de diagnostic médical
  • Infrastructure de télécommunications
  • Mise en mémoire tampon et cache de données à haute vitesse
  • stockage de programmes de systèmes embarqués

Pourquoi choisir la mémoire SRAM Infineon ?

Infineon Technologies est un leader mondial des solutions semi-conducteurs, reconnu pour la fourniture de composants mémoire haute fiabilité répondant aux exigences rigoureuses des applications critiques. La puce CY7C1021B-12VC associe une technologie SRAM éprouvée à l'engagement d'Infineon envers la qualité, garantissant des performances constantes et une disponibilité à long terme pour vos systèmes embarqués.


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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits
Conditionnement Tube |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 64K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-SOJ