Infineon Technologies CY7C1021B-12VXC

CY7C1021B-12VXC - Circuit intégré de mémoire SRAM 1 Mbit haute performance

Le CY7C1021B-12VXC d'Infineon Technologies est un circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone de 1 Mbit haute fiabilité, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette solution de mémoire volatile offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 12 ns et fonctionne de manière fiable sur une large plage de températures, de 0 °C à 70 °C.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Organisation flexible de la mémoire : la configuration 64 Ko x 16 offre un équilibre optimal pour les systèmes embarqués.
• Large plage de tension : tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une compatibilité avec diverses conceptions de systèmes.
• Interface parallèle : simplifie l’intégration aux architectures existantes
• Boîtier CMS : 44-BSOJ (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) pour une intégration optimale sur circuit imprimé
• Qualité industrielle : Conçu pour résister aux environnements d'exploitation difficiles

Spécifications techniques

Applications

Le CY7C1021B-12VXC est idéal pour :

• Contrôleurs de systèmes embarqués et microcontrôleurs
• Unités de commande électroniques automobiles (ECU)
• Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
• Mise en mémoire tampon des données des dispositifs médicaux
• Équipement de télécommunications
• systèmes avioniques aérospatiaux
• Systèmes d'acquisition de données à haute vitesse

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• CY7C1021B-12VXC.pdf