Infineon Technologies CY7C1021B-12VXCT

Présentation du produit

La CY7C1021B-12VXCT d'Infineon Technologies est une SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit conçue pour les applications critiques exigeant des temps d'accès rapides et un stockage de données fiable. Cette mémoire volatile, organisée en 64 Ko x 16 avec interface parallèle, offre un temps d'accès exceptionnel de 12 ns pour les systèmes embarqués exigeants des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
• Organisation flexible : architecture mémoire 64 Ko x 16 optimisée pour les systèmes de bus de données 16 bits
• Large plage de tension : tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une compatibilité avec les systèmes 5 V standard.
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA)
• Boîtier compact : Boîtier CMS 44-BSOJ (largeur de 10,16 mm) pour circuits imprimés compacts
• Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SRAM haute fiabilité est idéale pour :

• Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant une mémoire résistante aux radiations
• calculateurs automobiles et systèmes de contrôle critiques pour la sécurité
• équipements d'automatisation industrielle et de contrôle des processus
• Dispositifs de diagnostic et de surveillance médicale
• Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
• Systèmes embarqués nécessitant une mémoire tampon rapide

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• CY7C1021B-12VXCT.pdf