Infineon Technologies CY7C1021B-12VXI

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25+ Dhs. 11.22 Dhs. 280.50
50+ Dhs. 10.60 Dhs. 530.00
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CY7C1021B-12VXI - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La CY7C1021B-12VXI d'Infineon Technologies est une SRAM asynchrone 1 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels et des infrastructures de télécommunications. Ce composant mémoire haut de gamme offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès ultrarapide de 12 ns et un fonctionnement robuste sur une large plage de températures industrielles.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
  • Organisation optimale de la mémoire : la configuration 64 Ko x 16 offre une intégration flexible de l’interface parallèle
  • Fiabilité de niveau industriel : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C dans des environnements difficiles
  • Large plage de tension : la tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V permet de s’adapter à différentes configurations de systèmes.
  • Boîtier CMS : boîtier 44-BSOJ (largeur de 10,16 mm) optimisé pour l’assemblage automatisé
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Spécifications techniques

Applications

Le CY7C1021B-12VXI est idéal pour les applications exigeantes, notamment :

  • Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
  • Unités de commande des moteurs automobiles (ECU) et systèmes de sécurité
  • Automatisation industrielle et contrôle des processus
  • équipement de diagnostic médical
  • Stations de base de télécommunications et infrastructure de réseau
  • Systèmes embarqués à haute fiabilité nécessitant une mise en mémoire tampon rapide et non volatile des données

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 64K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY