Infineon Technologies CY7C1021B-15VC
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.95 | Dhs. 8.95 |
| 15+ | Dhs. 8.68 | Dhs. 130.20 |
| 25+ | Dhs. 8.50 | Dhs. 212.50 |
| 50+ | Dhs. 8.02 | Dhs. 401.00 |
| 100+ | Dhs. 7.08 | Dhs. 708.00 |
| N+ | Dhs. 1.42 | Price Inquiry |
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Circuit intégré de mémoire SRAM haute vitesse CY7C1021B-15VC
Le CY7C1021B-15VC d'Infineon Technologies est un circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit, conçu pour les applications embarquées exigeantes et critiques. Grâce à son temps d'accès ultrarapide de 15 ns et à son interface parallèle fiable, ce circuit intégré de mémoire offre des performances exceptionnelles pour les systèmes de contrôle industriels, les équipements de télécommunications, l'électronique automobile et les applications aérospatiales.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 15 ns et un temps de cycle d’écriture de 15 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Organisation mémoire flexible : configuration 64 Ko x 16 optimisée pour les architectures de bus de données 16 bits
- Large plage de tension de fonctionnement : alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une compatibilité avec les systèmes 5 V standard.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA)
- Boîtier CMS : boîtier 44-BSOJ (44-SOJ) pour un assemblage efficace des circuits imprimés
- Fonctionnement asynchrone : aucune horloge requise, simplifiant la conception du système
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré SRAM est idéal pour :
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- équipement d'infrastructure de télécommunications
- Unités de commande électroniques automobiles (ECU)
- Systèmes aérospatiaux et de défense
- équipement de diagnostic médical
- Mise en mémoire tampon et cache de données à haute vitesse
- Systèmes de processeurs embarqués nécessitant un accès rapide à la mémoire
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Tube | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 15 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-SOJ |
CY7C1021B-15VC.pdf