Infineon Technologies CY7C1021B-15VXCT

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25+ Dhs. 9.50 Dhs. 237.50
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Infineon CY7C1021B-15VXCT - SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La CY7C1021B-15VXCT d'Infineon Technologies est une mémoire SRAM (mémoire vive statique) de 1 Mbit haute fiabilité, conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications. Cette SRAM asynchrone offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès ultrarapide de 15 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués nécessitant un accès rapide aux données et des solutions de stockage non volatiles fiables.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès ultra-rapide : un temps d'accès de 15 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
  • Organisation optimale de la mémoire : la configuration 64 Ko x 16 offre une gestion flexible des données pour les architectures de microcontrôleurs et de processeurs 16 bits.
  • Large plage de tension de fonctionnement : la compatibilité avec une tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V assure une intégration transparente avec les systèmes anciens et modernes.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C, convient aux environnements exigeants.
  • Technologie de montage en surface : le boîtier 44-SOJ permet une conception efficace des circuits imprimés et des processus d’assemblage automatisés.
  • Interface asynchrone : l’interface mémoire parallèle simplifie la conception du système sans nécessiter de synchronisation d’horloge.

Applications

Cette mémoire SRAM haute performance est conçue pour les applications exigeant durabilité, vitesse et fiabilité :

  • Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
  • Unités de commande des moteurs automobiles (ECU) et systèmes de sécurité
  • Automatisation industrielle et contrôle des processus
  • Systèmes d'équipements de diagnostic médical et de surveillance des patients
  • Infrastructure de réseau de télécommunications et stations de base
  • Systèmes embarqués nécessitant une mémoire tampon rapide

Spécifications techniques

Produits et ressources connexes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 64K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 15 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY