Infineon Technologies CY7C1021BN-12VXC
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.64 | Dhs. 7.64 |
| 15+ | Dhs. 7.41 | Dhs. 111.15 |
| 25+ | Dhs. 7.25 | Dhs. 181.25 |
| 50+ | Dhs. 6.84 | Dhs. 342.00 |
| 100+ | Dhs. 6.04 | Dhs. 604.00 |
| N+ | Dhs. 1.21 | Price Inquiry |
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Infineon CY7C1021BN-12VXC - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La CY7C1021BN-12VXC d'Infineon Technologies est une mémoire SRAM asynchrone haute vitesse de 1 Mbit conçue pour les systèmes embarqués et les applications électroniques industrielles exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Avec un temps d'accès de 12 ns et une organisation mémoire de 64 Ko x 16, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel.
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès ultra-rapide : un temps d'accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Configuration mémoire optimale : capacité de 1 Mbit organisée en 64 Ko x 16 pour une gestion efficace des données en parallèle
- Large plage de tension : la tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V offre une grande flexibilité dans la conception du système.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C pour les environnements exigeants.
- Boîtier CMS : boîtier 44-BSOJ (44-SOJ) optimisé pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.
- Interface parallèle : accès direct à la mémoire pour un débit maximal dans les systèmes embarqués
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Applications idéales
Cette mémoire SRAM haute performance est idéale pour les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, les systèmes de télécommunications, les systèmes d'acquisition de données, les plateformes informatiques embarquées et toute application nécessitant un stockage de données temporaire rapide avec accès parallèle.
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Spécifications techniques complètes
Ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Tube | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-SOJ |
| RoHS |  |
CY7C1021BN-12VXC.pdf