Infineon Technologies CY7C1021BN-12VXCT
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.13 | Dhs. 8.13 |
| 15+ | Dhs. 7.86 | Dhs. 117.90 |
| 25+ | Dhs. 7.69 | Dhs. 192.25 |
| 50+ | Dhs. 7.26 | Dhs. 363.00 |
| 100+ | Dhs. 6.41 | Dhs. 641.00 |
| N+ | Dhs. 1.28 | Price Inquiry |
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CY7C1021BN-12VXCT - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La CY7C1021BN-12VXCT d'Infineon Technologies est une mémoire SRAM asynchrone haut de gamme de 1 mégabit, conçue pour les applications embarquées et industrielles à haute vitesse. Grâce à un temps d'accès ultrarapide de 12 ns et une organisation mémoire de 64 Ko x 16, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour les systèmes exigeant un accès rapide aux données et un stockage de données volatiles fiable.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une latence minimale pour les applications critiques.
- Organisation flexible : la configuration 64K x 16 optimise le débit de données pour les microcontrôleurs et processeurs 16 bits.
- Fonctionnement asynchrone : simplifie la conception de l’interface sans nécessiter de synchronisation d’horloge.
- Large plage de tension : l’alimentation de 4,5 V à 5,5 V prend en charge les systèmes 5 V anciens et modernes.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C pour les environnements exigeants.
- Boîtier CMS : le boîtier 44-BSOJ permet des agencements de circuits imprimés compacts et un assemblage automatisé
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale
Applications idéales
Cette mémoire SRAM haute performance est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués, aux contrôleurs industriels, aux équipements de réseau, aux infrastructures de télécommunications, aux systèmes d'acquisition de données et à toute application nécessitant un stockage de données temporaire rapide et fiable avec un accès à l'interface parallèle.
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Spécifications techniques
Ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-SOJ |
| RoHS |  |
CY7C1021BN-12VXCT.pdf