Infineon Technologies CY7C1021BN-12VXI

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Infineon CY7C1021BN-12VXI - SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La CY7C1021BN-12VXI d'Infineon Technologies est une mémoire SRAM (mémoire vive statique) haute vitesse de 1 mégabit conçue pour les systèmes embarqués exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Avec une organisation de 64 Ko x 16 et un temps d'accès ultrarapide de 12 ns, cette SRAM asynchrone offre des performances exceptionnelles pour les applications de contrôle industriel, de télécommunications, d'équipements réseau et de mise en mémoire tampon de données.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
  • Organisation flexible : la configuration 64K x 16 optimise le débit de données pour les processeurs 16 bits.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
  • Fonctionnement sous tension standard : tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V compatible avec les systèmes anciens et modernes.
  • Boîtier CMS : le boîtier 44-BSOJ (44-SOJ) permet un assemblage automatisé et des agencements de circuits imprimés compacts.
  • Interface parallèle : accès mémoire simple et direct sans protocoles complexes
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale

Applications idéales

Ce circuit intégré SRAM est parfaitement adapté à la mémoire cache, à la mise en mémoire tampon des données dans les systèmes de communication, aux implémentations FIFO, aux tables de consultation, aux contrôleurs embarqués, à l'automatisation industrielle et aux systèmes d'acquisition de données à haute vitesse où le stockage non volatil n'est pas requis mais où la vitesse est essentielle.

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Spécifications techniques

Ressources connexes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits
Conditionnement Tube |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 64K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY