Infineon Technologies CY7C1021BN-12ZXCT

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La CY7C1021BN-12ZXCT d' Infineon Technologies est une SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Avec un temps d'accès de 12 ns et une organisation mémoire de 64 Ko x 16, cette SRAM offre une vitesse exceptionnelle pour les opérations gourmandes en données dans les systèmes à microcontrôleur, les FPGA et les applications de contrôle industriel.

Cette mémoire SRAM à interface parallèle fonctionne entre 4,5 V et 5,5 V et offre un temps de cycle d'écriture de 12 ns, ce qui la rend idéale pour la mise en mémoire tampon à haute vitesse, la mémoire cache et le traitement de données en temps réel. Son boîtier CMS 44-TSOP II garantit des performances fiables sur une plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C, la rendant parfaitement adaptée aux environnements commerciaux et industriels.

Principales caractéristiques et avantages :

  • Temps d'accès ultra-rapide de 12 ns pour des opérations de données à haut débit
  • Capacité de 1 Mbit avec une organisation de 64K x 16 pour une architecture mémoire flexible
  • Interface parallèle asynchrone pour une intégration simple avec les systèmes anciens et modernes
  • Large plage de tension (4,5 V ~ 5,5 V) pour une compatibilité avec les systèmes logiques 5 V.
  • Boîtier CMS 44-TSOP II pour assemblage automatisé et conception compacte
  • Conforme à la directive RoHS pour le respect de l'environnement
  • Conditionnement en bande et bobine pour la production à grand volume

Applications : Systèmes embarqués, contrôleurs industriels, extension de mémoire FPGA, mise en mémoire tampon des données, mémoire cache, équipements de télécommunications, électronique automobile et mises à niveau de systèmes existants.

Chez HQICKEY, nous garantissons des composants Infineon 100% authentiques, une disponibilité à long terme et un support technique dédié aux équipementiers et aux intégrateurs de systèmes du monde entier.

Ressources connexes :

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 64K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY