Infineon Technologies CY7C1021BN-15VXCT
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.13 | Dhs. 8.13 |
| 15+ | Dhs. 7.86 | Dhs. 117.90 |
| 25+ | Dhs. 7.69 | Dhs. 192.25 |
| 50+ | Dhs. 7.26 | Dhs. 363.00 |
| 100+ | Dhs. 6.41 | Dhs. 641.00 |
| N+ | Dhs. 1.28 | Price Inquiry |
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La CY7C1021BN-15VXCT d'Infineon Technologies est une SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Avec un temps d'accès et un temps de cycle d'écriture ultrarapides de 15 ns, ce circuit intégré mémoire offre une vitesse exceptionnelle pour les opérations critiques en termes de temps.
Doté d'une mémoire de 64 Ko x 16 et d'une interface parallèle, le CY7C1021BN-15VXCT offre un stockage de mémoire volatile fiable et facile à intégrer. Fonctionnant sous une tension d'alimentation de 4,5 V à 5,5 V et conçu pour une plage de températures commerciales de 0 °C à 70 °C, il convient à une large gamme d'applications industrielles et commerciales.
Conditionnée en boîtier CMS compact 44-BSOJ (44-SOJ), cette SRAM offre des possibilités d'implantation sur circuit imprimé optimisées tout en conservant des performances robustes. Conforme à la directive RoHS, elle garantit le respect de l'environnement et des réglementations en vigueur pour la fabrication de produits électroniques modernes.
Caractéristiques principales :
- Capacité de mémoire de 1 Mbit avec une organisation de 64K x 16
- Temps d'accès ultra-rapide de 15 ns pour une récupération de données à haute vitesse
- Technologie SRAM asynchrone pour une synchronisation simplifiée
- Interface parallèle pour une intégration système simplifiée
- Plage de tension de fonctionnement de 4,5 V à 5,5 V
- Température de service commerciale : 0 °C à 70 °C
- Boîtier CMS 44-BSOJ pour conceptions compactes
- Conforme à la directive RoHS en matière de normes environnementales
Applications :
- Systèmes embarqués et mémoires tampons pour microcontrôleurs
- équipements de contrôle et d'automatisation industriels
- Systèmes d'acquisition et de traitement des données
- Infrastructure de télécommunications
- Instruments de test et de mesure
- Mémoire cache et stockage de données à haute vitesse
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 15 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-SOJ |
| RoHS |  |
CY7C1021BN-15VXCT.pdf