Infineon Technologies CY7C1021BN-15VXI

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25+ Dhs. 7.25 Dhs. 181.25
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CY7C1021BN-15VXI - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La CY7C1021BN-15VXI d'Infineon Technologies est une SRAM asynchrone (mémoire vive statique) haut de gamme de 1 Mbit, conçue pour les applications embarquées et industrielles à haute vitesse exigeant des solutions de mémoire volatile fiables. Avec un temps d'accès ultrarapide de 15 ns et une organisation mémoire de 64 Ko x 16, ce circuit intégré offre des performances exceptionnelles pour les opérations gourmandes en données dans les systèmes à microcontrôleur, les FPGA et les équipements de contrôle industriel.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès ultra-rapide : un temps d'accès de 15 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation flexible de la mémoire : la configuration 64 Ko x 16 offre un équilibre optimal pour les architectures de systèmes embarqués.
  • Large plage de températures de fonctionnement : -40 °C à 85 °C (TA) garantit un fonctionnement fiable dans des environnements industriels difficiles.
  • Tension standard de l'industrie : tension d'alimentation de 4,5 V à 5,5 V compatible avec les systèmes anciens et modernes.
  • Boîtier CMS : 44-BSOJ (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) / 44-SOJ pour une intégration efficace sur circuit imprimé
  • Interface parallèle : Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications idéales

Cette mémoire SRAM haute performance est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués nécessitant un stockage de données temporaire et rapide, notamment les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements de télécommunications, les dispositifs de réseau, les systèmes d'acquisition de données et les conceptions basées sur FPGA. Son architecture asynchrone élimine la complexité de la synchronisation d'horloge tout en conservant une vitesse exceptionnelle.

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Spécifications techniques


Ressources connexes

Découvrez notre gamme complète de composants semi-conducteurs :

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits
Conditionnement Tube |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 64K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 15 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY