Infineon Technologies CY7C1021BNV33L-15VXIT

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CY7C1021BNV33L-15VXIT - SRAM asynchrone 1 Mbit haute fiabilité

La CY7C1021BNV33L-15VXIT d'Infineon Technologies est une SRAM asynchrone haut de gamme de 1 Mbit conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications. Ce composant mémoire haute performance offre une fiabilité exceptionnelle grâce à un temps d'accès ultrarapide de 15 ns et fonctionne sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances ultra-rapides : un temps d’accès de 15 ns garantit une récupération rapide des données pour les systèmes embarqués sensibles au temps.
  • Organisation optimale de la mémoire : la configuration 64 Ko x 16 offre une gestion flexible des données pour les applications microcontrôleur et FPGA.
  • Large plage de tension de fonctionnement : la plage de tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V offre une compatibilité avec les conceptions modernes à faible consommation.
  • Plage de températures étendue : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale dans les environnements industriels et automobiles les plus exigeants.
  • Boîtier CMS 44-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm) permettant une conception efficace du circuit imprimé et un assemblage automatisé
  • Interface parallèle : accès direct à la mémoire pour le transfert de données à haut débit dans les contrôleurs embarqués

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SRAM haute fiabilité est conçue pour des applications exigeantes telles que les systèmes de contrôle de vol aérospatiaux, les unités de gestion des moteurs automobiles, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements de diagnostic médical et les infrastructures de réseaux de télécommunications où l'intégrité des données et les performances sont primordiales.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 64K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 15 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-SOJ