Infineon Technologies CY7C1021CV33-10BAXIT
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 6.48 | Dhs. 6.48 |
| 15+ | Dhs. 6.27 | Dhs. 94.05 |
| 25+ | Dhs. 6.14 | Dhs. 153.50 |
| 50+ | Dhs. 5.80 | Dhs. 290.00 |
| 100+ | Dhs. 5.12 | Dhs. 512.00 |
| N+ | Dhs. 1.02 | Price Inquiry |
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CY7C1021CV33-10BAXIT - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La CY7C1021CV33-10BAXIT d'Infineon Technologies est une SRAM asynchrone 1 Mbit haute vitesse et basse consommation, conçue pour les applications embarquées exigeantes nécessitant un accès rapide aux données et une grande fiabilité. Grâce à son temps d'accès ultrarapide de 10 ns et à son organisation mémoire de 64 Ko x 16, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour les systèmes industriels, automobiles, IoT et de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Organisation mémoire flexible : configuration 64 Ko x 16 optimisée pour les architectures de bus de données 16 bits
- Large plage de tension de fonctionnement : alimentation de 3 V à 3,6 V pour une intégration système polyvalente.
- Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité optimale en environnement difficile
- Interface parallèle : Interface mémoire parallèle standard pour une intégration aisée avec les microcontrôleurs et les processeurs
- Boîtier compact pour montage en surface : son format 48-TFBGA (7 x 7 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
- Authentiques et traçables : Composants Infineon authentiques avec assistance et traçabilité complètes tout au long du cycle de vie.
Spécifications techniques
Applications
Le CY7C1021CV33-10BAXIT est idéal pour :
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Électronique automobile et infodivertissement
- Équipement de télécommunications
- Dispositifs et instruments médicaux
- Dispositifs informatiques de périphérie IoT
- Mise en mémoire tampon et cache des données
- Extension de mémoire pour systèmes embarqués
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-FBGA (7x7) |
| RoHS |  |
CY7C1021CV33-10BAXIT.pdf