Infineon Technologies CY7C1021CV33-10VXCT
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 6.97 | Dhs. 6.97 |
| 15+ | Dhs. 6.75 | Dhs. 101.25 |
| 25+ | Dhs. 6.61 | Dhs. 165.25 |
| 50+ | Dhs. 6.24 | Dhs. 312.00 |
| 100+ | Dhs. 5.51 | Dhs. 551.00 |
| N+ | Dhs. 1.10 | Price Inquiry |
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Infineon CY7C1021CV33-10VXCT - SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La CY7C1021CV33-10VXCT d'Infineon Technologies est une mémoire vive statique (SRAM) asynchrone haut de gamme de 1 mégabit, conçue pour les applications à haute fiabilité dans les systèmes industriels, automobiles et embarqués. Ce circuit intégré mémoire offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès ultrarapide de 10 ns et une configuration 64K x 16, ce qui le rend idéal pour la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Organisation flexible de la mémoire : l’architecture 64 Ko x 16 offre une largeur de mot optimale pour les microcontrôleurs et processeurs 16 bits.
- Fonctionnement à basse tension : la plage de tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V réduit la consommation d’énergie et la génération de chaleur.
- Large plage de températures : température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C, adaptée aux environnements commerciaux et industriels.
- Conception pour montage en surface : le boîtier 44-BSOJ (largeur de 10,16 mm) permet des agencements de circuits imprimés compacts et un assemblage automatisé.
- Interface parallèle : accès direct à la mémoire pour un débit maximal et une latence minimale
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Spécifications techniques
Applications et cas d'utilisation
Le CY7C1021CV33-10VXCT excelle dans les applications exigeantes nécessitant un stockage de mémoire volatile rapide et fiable :
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- Dispositifs informatiques embarqués et IoT
- Acquisition de données et instrumentation
- Routeurs de réseau et équipements de télécommunications
- Dispositifs médicaux et équipements de diagnostic
- Mémoire cache et mise en mémoire tampon de données à haute vitesse
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Produits et ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-SOJ |
| RoHS |

CY7C1021CV33-10VXCT.pdf