Infineon Technologies CY7C1021CV33-10ZSXAT
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 14.09 | Dhs. 14.09 |
| 15+ | Dhs. 13.64 | Dhs. 204.60 |
| 25+ | Dhs. 13.35 | Dhs. 333.75 |
| 50+ | Dhs. 12.61 | Dhs. 630.50 |
| 100+ | Dhs. 11.12 | Dhs. 1,112.00 |
| N+ | Dhs. 2.22 | Price Inquiry |
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Infineon CY7C1021CV33-10ZSXAT - SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La CY7C1021CV33-10ZSXAT d'Infineon Technologies est une mémoire SRAM asynchrone de 1 Mbit haute fiabilité, conçue pour les applications exigeantes des secteurs automobile, industriel, médical et des télécommunications. Offrant des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 10 ns, elle fonctionne dans une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C.
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Organisation de mémoire flexible : configuration d’interface parallèle 64 Ko x 16
- Large plage de tension de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une compatibilité avec les systèmes modernes
- Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Boîtier CMS : 44-TSOP II (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) pour assemblage automatisé
- Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb
- Emballage en bande et bobine : Emballage prêt pour la production en grande série
Applications
Idéal pour les systèmes de contrôle automobile, l'automatisation industrielle, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications, les systèmes embarqués et toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec une traçabilité complète.
Spécifications techniques complètes
Qualité et conformité
Tous les composants proviennent de distributeurs agréés et garantissent une traçabilité complète. Conformes aux normes RoHS/REACH. Fiches techniques et documentation technique disponibles sur demande.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |  |
CY7C1021CV33-10ZSXAT.pdf