Infineon Technologies CY7C1021CV33-10ZXIT
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 6.74 | Dhs. 6.74 |
| 15+ | Dhs. 6.51 | Dhs. 97.65 |
| 25+ | Dhs. 6.37 | Dhs. 159.25 |
| 50+ | Dhs. 6.02 | Dhs. 301.00 |
| 100+ | Dhs. 5.31 | Dhs. 531.00 |
| N+ | Dhs. 1.06 | Price Inquiry |
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Infineon CY7C1021CV33-10ZXIT - SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La CY7C1021CV33-10ZXIT d'Infineon Technologies est une SRAM asynchrone 1 Mbit haut de gamme conçue pour les systèmes embarqués haute fiabilité, l'automatisation industrielle, l'électronique automobile et les applications IoT. Avec un temps d'accès ultrarapide de 10 ns et une plage de températures de fonctionnement robuste de -40 °C à 85 °C, ce circuit intégré mémoire offre des performances exceptionnelles dans les environnements les plus exigeants.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Organisation optimale de la mémoire : la configuration 64 Ko x 16 offre une intégration flexible de l’interface parallèle
- Large plage de tension de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une compatibilité système polyvalente
- Fiabilité de niveau industriel : plage de températures étendue (-40 °C à 85 °C) pour les conditions de fonctionnement difficiles
- Boîtier compact : le boîtier CMS 44-TSOP II optimise l'espace sur le circuit imprimé.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.
Applications idéales
Cette mémoire SRAM haute performance est parfaitement adaptée aux contrôleurs industriels, aux calculateurs automobiles, aux équipements de réseau, aux dispositifs médicaux, aux systèmes aérospatiaux et aux plateformes informatiques embarquées nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec une disponibilité à long terme.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |  |
CY7C1021CV33-10ZXIT.pdf