Infineon Technologies CY7C1021CV33-12BAXIT

CY7C1021CV33-12BAXIT - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La CY7C1021CV33-12BAXIT d'Infineon Technologies est une SRAM asynchrone 1 Mbit haute fiabilité, conçue pour les applications exigeantes des secteurs industriel, automobile et des systèmes embarqués. Ce circuit intégré de mémoire à interface parallèle offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès rapide de 12 ns et fonctionne sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C, ce qui le rend idéal pour les applications critiques nécessitant une conservation stable et non volatile des données.

Principales caractéristiques et avantages

• Capacité de mémoire de 1 Mbit avec une organisation de 64 Ko x 16 pour un stockage de données flexible
• Un temps d'accès ultra-rapide de 12 ns garantit des opérations de lecture/écriture rapides.
• Fonctionnement à basse tension (3 V à 3,6 V) pour des conceptions écoénergétiques
• Large plage de températures de fonctionnement (-40 °C à 85 °C) adaptée aux environnements difficiles
• La technologie SRAM asynchrone élimine le besoin de synchronisation d'horloge.
• Le boîtier compact 48-TFBGA (7 x 7 mm) à montage en surface permet de gagner de la place sur la carte.
• Conforme à la norme RoHS pour une fabrication respectueuse de l'environnement

Spécifications techniques

Applications

Ce groupe motopropulseur SRAM haute performance est parfaitement adapté pour :

• systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
• Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
• Infrastructure de réseau et de télécommunications
• Dispositifs médicaux nécessitant une mise en mémoire tampon fiable des données
• Systèmes embarqués avec exigences de traitement en temps réel
• Systèmes d'acquisition de données et d'instrumentation

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