Infineon Technologies CY7C1021CV33-12VXI

CY7C1021CV33-12VXI - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute vitesse de 1 Mbit

La CY7C1021CV33-12VXI d' Infineon Technologies est une mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 mégabit, conçue pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes. Avec un temps d'accès ultrarapide de 12 ns et une organisation mémoire de 64 Ko x 16 bits , cette SRAM à interface parallèle assure un stockage et une récupération de données fiables et rapides pour les systèmes critiques.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
• Organisation de la mémoire flexible : configuration 64 Ko x 16 bits optimisée pour les interfaces de microcontrôleurs et de processeurs 16 bits
• Large plage de tension de fonctionnement : alimentation de 3 V à 3,6 V pour une compatibilité avec les systèmes basse consommation modernes.
• Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
• Interface parallèle : interface mémoire parallèle standard pour une intégration simple
• Boîtier CMS : 44-BSOJ (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) / boîtier 44-SOJ pour assemblage automatisé
• Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb

Applications idéales

Cette mémoire SRAM haute fiabilité est idéale pour les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les équipements de réseau, les dispositifs médicaux, les systèmes aérospatiaux, la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les plateformes informatiques embarquées nécessitant une mémoire volatile rapide avec une disponibilité à long terme garantie.

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Spécifications techniques

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