Infineon Technologies CY7C1021CV33-12ZXI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 6.63 | Dhs. 6.63 |
| 15+ | Dhs. 6.41 | Dhs. 96.15 |
| 25+ | Dhs. 6.27 | Dhs. 156.75 |
| 50+ | Dhs. 5.92 | Dhs. 296.00 |
| 100+ | Dhs. 5.23 | Dhs. 523.00 |
| N+ | Dhs. 1.05 | Price Inquiry |
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CY7C1021CV33-12ZXI - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La CY7C1021CV33-12ZXI d'Infineon Technologies est une mémoire SRAM asynchrone haut de gamme de 1 mégabit, conçue pour les applications industrielles, automobiles et systèmes embarqués exigeantes. Ce circuit intégré de mémoire haute fiabilité offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès ultrarapide de 12 ns et fonctionne sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Organisation flexible : l'architecture mémoire 64K x 16 offre une structure de données optimale pour les systèmes 16 bits.
- Large plage de tension : fonctionnement de 3 V à 3,6 V compatible avec les conceptions modernes à faible consommation.
- Fiabilité de niveau industriel : plage de températures étendue (-40 °C à 85 °C) pour les environnements difficiles
- Interface parallèle : interface mémoire parallèle standard pour une intégration facile
- Boîtier CMS : boîtier 44-TSOP II optimisé pour l’assemblage automatisé
Applications idéales
Cette mémoire SRAM asynchrone est parfaitement adaptée aux équipements de réseau, aux infrastructures de télécommunications, aux systèmes de contrôle industriels, à l'électronique automobile, aux dispositifs médicaux et aux plateformes informatiques embarquées hautes performances où un accès mémoire rapide et fiable est essentiel.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |  |
CY7C1021CV33-12ZXI.pdf