Infineon Technologies CY7C1021CV33-12ZXIT
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 6.74 | Dhs. 6.74 |
| 15+ | Dhs. 6.51 | Dhs. 97.65 |
| 25+ | Dhs. 6.37 | Dhs. 159.25 |
| 50+ | Dhs. 6.02 | Dhs. 301.00 |
| 100+ | Dhs. 5.31 | Dhs. 531.00 |
| N+ | Dhs. 1.06 | Price Inquiry |
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Infineon CY7C1021CV33-12ZXIT - SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La mémoire SRAM CY7C1021CV33-12ZXIT d'Infineon Technologies offre des performances et une fiabilité exceptionnelles pour les systèmes embarqués nécessitant une mémoire vive statique (SRAM) rapide et basse consommation. Cette authentique SRAM de 1 Mbit dispose d'une organisation mémoire de 64 Ko x 16 et d'un temps d'accès ultrarapide de 12 ns, ce qui la rend idéale pour la mémoire cache, les applications de mise en mémoire tampon et les systèmes d'acquisition de données à haute vitesse.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une latence minimale pour les applications critiques.
- Organisation flexible de la mémoire : configuration 64 Ko x 16 optimisée pour les interfaces de microcontrôleurs et de processeurs 16 bits
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V avec une plage de température industrielle (-40 °C à 85 °C)
- Boîtier compact : boîtier CMS 44-TSOP II (largeur de 10,16 mm) pour les circuits imprimés compacts.
- Interface parallèle : Interface de bus parallèle standard pour une intégration transparente avec les systèmes anciens et modernes.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.
Applications idéales
Cette mémoire SRAM haute fiabilité est conçue pour les applications industrielles, automobiles, IoT et embarquées exigeantes, notamment les équipements réseau, les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les dispositifs médicaux et les infrastructures de télécommunications. Elle bénéficie de l'engagement d'Infineon en matière de stabilité d'approvisionnement à long terme et de traçabilité des composants.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |  |
CY7C1021CV33-12ZXIT.pdf