Infineon Technologies CY7C1021CV33-15ZXCT

CY7C1021CV33-15ZXCT - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La CY7C1021CV33-15ZXCT d'Infineon Technologies est une SRAM (mémoire vive statique) asynchrone haute performance de 1 Mbit conçue pour les systèmes embarqués, les applications industrielles, l'électronique automobile et les appareils IoT nécessitant des solutions de mémoire volatile rapides et fiables.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès ultra-rapide : un temps d'accès de 15 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Organisation optimale de la mémoire : la configuration 64 Ko x 16 offre une architecture de stockage de données flexible
• Large plage de tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une compatibilité avec les systèmes basse consommation modernes.
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA)
• Boîtier CMS : boîtier TSOP II 44 broches (largeur : 10,16 mm) pour une intégration efficace sur circuit imprimé
• Interface parallèle : Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales.

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SRAM haute vitesse est idéale pour :

• Mémoire tampon et cache des données des systèmes embarqués
• Systèmes de contrôle industriels nécessitant un accès rapide aux données
• Systèmes électroniques et de tableaux de bord automobiles
• Équipements de réseau et routeurs
• Dispositifs et instruments médicaux
• Dispositifs informatiques de périphérie IoT
• Équipements de test et de mesure

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Ressources et assistance techniques

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