Infineon Technologies CY7C1021CV33-15ZXI

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CY7C1021CV33-15ZXI - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La mémoire SRAM CY7C1021CV33-15ZXI d'Infineon Technologies est une mémoire vive statique (SRAM) haute performance de 1 mégabit conçue pour les systèmes embarqués exigeants, l'automatisation industrielle, les télécommunications et les applications automobiles. Cette SRAM asynchrone offre une vitesse exceptionnelle avec un temps d'accès de 15 nanosecondes, ce qui la rend idéale pour les applications nécessitant un stockage et une récupération de données rapides et fiables, sans cycle de rafraîchissement.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès ultra-rapide : un temps d'accès de 15 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation flexible de la mémoire : la configuration 64K x 16 offre une architecture de stockage de données polyvalente
  • Large plage de tension de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une compatibilité avec les systèmes basse consommation modernes.
  • Plage de température étendue : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale dans les environnements industriels difficiles.
  • Fonctionnement asynchrone : aucune horloge n’est requise, ce qui simplifie la conception du système et réduit la consommation d’énergie.
  • Boîtier CMS : boîtier 44-TSOP II optimisé pour l’assemblage automatisé et les conceptions à espace restreint
  • Interface parallèle : Interface de bus parallèle standard pour une intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs

Applications techniques

Ce circuit intégré de mémoire SRAM est conçu pour les applications exigeant des performances élevées, similaires à celles de la mémoire non volatile, tout en offrant la flexibilité de la mémoire volatile. Exemples d'utilisation :

  • Systèmes de contrôle industriel et automates programmables
  • Équipements de télécommunications et infrastructure réseau
  • Systèmes électroniques automobiles et ADAS
  • Dispositifs médicaux nécessitant une mise en mémoire tampon rapide des données
  • applications aérospatiales et de défense
  • Systèmes d'acquisition de données à haute vitesse
  • Applications de mémoire cache et de tampon

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Spécifications techniques complètes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 64K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 15 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY