Infineon Technologies CY7C1021CV33-15ZXIT
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 6.74 | Dhs. 6.74 |
| 15+ | Dhs. 6.51 | Dhs. 97.65 |
| 25+ | Dhs. 6.37 | Dhs. 159.25 |
| 50+ | Dhs. 6.02 | Dhs. 301.00 |
| 100+ | Dhs. 5.31 | Dhs. 531.00 |
| N+ | Dhs. 1.06 | Price Inquiry |
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CY7C1021CV33-15ZXIT - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La CY7C1021CV33-15ZXIT d'Infineon Technologies est une mémoire vive statique (SRAM) de 1 mégabit à haute vitesse et à faible consommation, conçue pour les applications embarquées exigeantes nécessitant un stockage et une récupération de données rapides et fiables.
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès ultra-rapide : un temps d'accès de 15 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Organisation flexible de la mémoire : la configuration 64 Ko x 16 offre un équilibre optimal pour le traitement parallèle des données.
- Large plage de tension de fonctionnement : la tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V prend en charge diverses conceptions de systèmes.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
- Interface asynchrone : l’interface mémoire parallèle simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs.
- Boîtier CMS : boîtier 44-TSOP II optimisé pour l’assemblage automatisé et les conceptions à espace restreint
Applications idéales
Cette mémoire SRAM haute performance est idéale pour les systèmes de contrôle industriels, l'électronique automobile, les équipements de télécommunications, les dispositifs de réseau, l'instrumentation médicale et toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et d'une fiabilité exceptionnelle.
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Spécifications techniques
Produits et ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 15 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |  |
CY7C1021CV33-15ZXIT.pdf