Infineon Technologies CY7C1021CV33-8VXCT
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 6.97 | Dhs. 6.97 |
| 15+ | Dhs. 6.75 | Dhs. 101.25 |
| 25+ | Dhs. 6.61 | Dhs. 165.25 |
| 50+ | Dhs. 6.24 | Dhs. 312.00 |
| 100+ | Dhs. 5.51 | Dhs. 551.00 |
| N+ | Dhs. 1.10 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
Infineon CY7C1021CV33-8VXCT - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La CY7C1021CV33-8VXCT d'Infineon Technologies est une mémoire vive statique (SRAM) haut de gamme de 1 mégabit conçue pour les systèmes embarqués à grande vitesse, l'automatisation industrielle et les applications critiques nécessitant un accès aux données fiable et rapide.
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès ultra-rapide : un temps d'accès de 8 ns garantit une récupération rapide des données pour les opérations urgentes.
- Organisation mémoire flexible : configuration 64 Ko x 16 optimisée pour les architectures de bus de données 16 bits
- Fonctionnement basse tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
- Interface asynchrone : l’interface mémoire parallèle simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs.
- Fiabilité de niveau industriel : plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C (TA) pour les environnements exigeants
- Boîtier compact : Boîtier CMS 44-BSOJ (largeur 10,16 mm) idéal pour les circuits imprimés compacts.
Applications idéales
Cette mémoire SRAM haute fiabilité est idéale pour l'électronique automobile, les appareils IoT, les équipements de réseau, l'instrumentation médicale et toute application nécessitant une mémoire volatile rapide avec un support de cycle de vie garanti.
Pourquoi choisir les solutions de mémoire Infineon ?
Infineon Technologies fournit des composants semi-conducteurs authentiques avec une traçabilité complète, une documentation technique et des engagements de disponibilité à long terme. Chaque unité CY7C1021CV33-8VXCT est conforme à la directive RoHS et bénéficie de notre programme d'assurance qualité.
Spécifications techniques
Ressources connexes
Découvrez notre gamme complète de composants semi-conducteurs de mémoire, notamment les solutions DRAM, Flash, EEPROM et SRAM des principaux fabricants.
Visitez notre page d'accueil pour découvrir notre catalogue complet de composants semi-conducteurs authentiques, assortis d'engagements de cycle de vie et d'un support technique.
Restez informé des dernières tendances du secteur, des nouveaux produits et des guides techniques sur notre blog Actualités et Ressources .
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 8ns |
| Temps d'accès | 8 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-SOJ |
| RoHS |  |
CY7C1021CV33-8VXCT.pdf