Infineon Technologies CY7C1021CV33-8ZXC

CY7C1021CV33-8ZXC - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La CY7C1021CV33-8ZXC d'Infineon Technologies est une mémoire SRAM (mémoire vive statique) de 1 mégabit, haute vitesse et basse consommation, conçue pour les applications embarquées exigeantes nécessitant un stockage de données rapide et fiable. Cette SRAM asynchrone dispose d'une organisation mémoire de 64 Ko x 16, ce qui la rend idéale pour les systèmes de contrôle industriels, l'électronique automobile, les objets connectés et autres applications critiques.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès ultra-rapide : un temps d'accès de 8 ns garantit une récupération rapide des données pour les opérations urgentes.
• Organisation flexible de la mémoire : la configuration 64 Ko x 16 offre un équilibre optimal entre densité et performances
• Large plage de tension de fonctionnement : la plage de tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V prend en charge diverses conceptions de systèmes.
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA) pour les environnements exigeants.
• Boîtier compact : le boîtier CMS 44-TSOP II (0,400", largeur 10,16 mm) optimise l'espace sur la carte.
• Conforme à la norme RoHS : Conception respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications

Le CY7C1021CV33-8ZXC est parfaitement adapté pour :

• Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
• Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
• Dispositifs informatiques de périphérie IoT
• Instrumentation médicale
• Équipement de télécommunications
• systèmes d'acquisition de données
• Processeurs embarqués et microcontrôleurs

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• CY7C1021CV33-8ZXC.pdf