Infineon Technologies CY7C1021CV33-8ZXCT
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 6.74 | Dhs. 6.74 |
| 15+ | Dhs. 6.51 | Dhs. 97.65 |
| 25+ | Dhs. 6.37 | Dhs. 159.25 |
| 50+ | Dhs. 6.02 | Dhs. 301.00 |
| 100+ | Dhs. 5.31 | Dhs. 531.00 |
| N+ | Dhs. 1.06 | Price Inquiry |
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Infineon CY7C1021CV33-8ZXCT - SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La CY7C1021CV33-8ZXCT d'Infineon Technologies est une SRAM asynchrone 1 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes. Ce circuit intégré de mémoire à interface parallèle offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 8 ns et fonctionne sur une large plage de tensions de 3 V à 3,6 V, ce qui le rend idéal pour les applications alimentées par batterie et basse consommation.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 8 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Organisation flexible de la mémoire : la configuration 64 Ko x 16 optimise la gestion des données pour les processeurs et les contrôleurs 16 bits.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C pour les environnements commerciaux et industriels.
- Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V réduit la consommation d’énergie et la génération de chaleur.
- Boîtier CMS : le boîtier 44-TSOP II (largeur de 10,16 mm) permet des implantations de circuits imprimés haute densité.
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une conformité optimale au marché mondial
Applications idéales
Ce composant SRAM excelle dans les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les infrastructures de télécommunications et l'informatique de périphérie IoT, où une mémoire volatile rapide et fiable est essentielle. Son interface parallèle facilite l'intégration avec les microcontrôleurs, les FPGA et les processeurs nécessitant une mémoire tampon haute vitesse ou une extension de cache.
Composants authentiques avec prise en charge du cycle de vie
HQICKEY s'approvisionne en composants semi-conducteurs directement auprès de fabricants et distributeurs agréés, garantissant ainsi une authenticité totale, une traçabilité complète et une disponibilité à long terme. Chaque unité CY7C1021CV33-8ZXCT est livrée avec la documentation du fabricant et bénéficie de notre engagement en matière de gestion du cycle de vie et d'assistance technique.
Spécifications techniques
Produits et ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 8ns |
| Temps d'accès | 8 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |  |
CY7C1021CV33-8ZXCT.pdf