Infineon Technologies CY7C1041CV33-20ZC

Infineon CY7C1041CV33-20ZC - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La CY7C1041CV33-20ZC d'Infineon Technologies est une mémoire SRAM 4 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications embarquées exigeantes dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des dispositifs médicaux et des télécommunications. Cette SRAM asynchrone dispose d'une organisation mémoire de 256 Ko x 16 et d'un temps d'accès ultrarapide de 20 ns, ce qui la rend idéale pour la mise en mémoire tampon de données à haute vitesse, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès rapide : un cycle d'accès et d'écriture de 20 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques en temps réel.
• Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V optimisée pour les conceptions modernes à faible consommation.
• Interface parallèle : L’interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs.
• Boîtier CMS : boîtier TSOP II à 44 broches (largeur de 10,16 mm) pour les circuits imprimés compacts
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C en milieu industriel
• Haute fiabilité : Technologie SRAM volatile offrant une stabilité à long terme et une conservation des données éprouvées.

Applications

Ce composant SRAM est largement utilisé dans les équipements de réseau, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les systèmes d'imagerie médicale, l'avionique, les calculateurs automobiles et les infrastructures de télécommunications où un accès mémoire rapide et fiable est essentiel.

Spécifications techniques complètes

Traçabilité et conformité complètes : tous les appareils sont livrés avec une documentation de traçabilité complète et sont conformes aux normes RoHS/REACH. Fiches techniques et schémas de référence disponibles pour faciliter l’intégration.

Ressources connexes

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