Infineon Technologies CY7C1041G18-15ZSXIT
Prix habituel
Dhs. 17.46
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Dhs. 18.39
Prix promotionnel
Dhs. 17.46
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 17.46 | Dhs. 17.46 |
| 15+ | Dhs. 16.92 | Dhs. 253.80 |
| 25+ | Dhs. 16.55 | Dhs. 413.75 |
| 50+ | Dhs. 15.63 | Dhs. 781.50 |
| 100+ | Dhs. 13.79 | Dhs. 1,379.00 |
| N+ | Dhs. 2.76 | Price Inquiry |
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Infineon CY7C1041G18-15ZSXIT - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone 4 Mbit
La CY7C1041G18-15ZSXIT d'Infineon Technologies est une mémoire vive statique (SRAM) asynchrone de 4 Mbit haute performance conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec une faible consommation d'énergie.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 15 ns pour des opérations de données rapides.
- Organisation flexible de la mémoire : configuration 256 Ko x 16 optimisée pour les architectures de bus de données 16 bits
- Fonctionnement à basse tension : la plage de tension d’alimentation de 1,65 V à 2,2 V réduit la consommation d’énergie.
- Large plage de températures de fonctionnement : de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité de niveau industriel
- Boîtier compact pour montage en surface : 44-TSOP II (largeur de 10,16 mm) pour des agencements de circuits imprimés à faible encombrement
- Interface parallèle : interface parallèle asynchrone standard pour une intégration facile
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb
Applications typiques
- mémoire de configuration et tampon de données du FPGA
- Mémoire cache haute vitesse dans les systèmes embarqués
- Équipements de réseau et infrastructure de télécommunications
- Systèmes électroniques automobiles et de contrôle industriel
- Applications aérospatiales et de défense nécessitant un fonctionnement à température prolongée
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- ✓ Authenticité garantie : Composants scellés en usine avec traçabilité complète du fabricant
- Documentation complète : fiches techniques, schémas de référence et ressources d’assistance technique
- Assistance tout au long du cycle de vie : engagement de disponibilité pour vos programmes de production
- Expédition internationale : Livraison rapide et fiable via des partenaires logistiques agréés
Disponible en conditionnement sur bande et bobine pour les processus d'assemblage automatisés.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 15 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2,2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |  |
CY7C1041G18-15ZSXIT.pdf
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